SUNX輸出光電耦合器注意事項(xiàng)/PhotoMOS使用注意事項(xiàng)1

PhotoMOS使用注意事項(xiàng)

1.關(guān)于降額設(shè)計(jì)

降額是性設(shè)計(jì)中所不可或缺的內(nèi)容，是關(guān)乎產(chǎn)品壽命的重要因素。

即使本產(chǎn)品的使用條件(使用溫度、電流、電壓等)是在較大額定值范圍內(nèi)，如在高負(fù)載(高溫、高濕、高電流、高電壓等)下連續(xù)使用，

可能會(huì)造成性顯著降，因此相對(duì)于較大額定值，請(qǐng)充分降額，并在實(shí)際機(jī)器上進(jìn)行確認(rèn)后再加以使用。

另外，預(yù)計(jì)會(huì)因本產(chǎn)品品質(zhì)不良等原因而對(duì)人身安全以及財(cái)產(chǎn)產(chǎn)生重大影響的情況下，從制造物責(zé)任的觀點(diǎn)出發(fā)，

建議針對(duì)較大額定值確保更大的余量，同時(shí)采取雙重電路等安全措施。

2.關(guān)于施加過較大額定值

各端子的電壓、電流值過較大額定值時(shí)，內(nèi)部元件可能會(huì)因過電壓、過電流引起劣化。甚至?xí)斐膳渚€的熔斷和硅膠P/N接合部的破壞。

3.關(guān)于輸入電壓（功率電壓驅(qū)動(dòng)型、TSON型）

輸入電壓的上升率及下降率dv/dt，請(qǐng)?jiān)?00mV/ms以上使用。

4.關(guān)于振蕩電路及控制電路

可能會(huì)因浪涌和靜電等受到破壞。關(guān)于抗干擾和振蕩電路工作時(shí)會(huì)對(duì)周邊電路產(chǎn)生的影響等，使用前請(qǐng)通過實(shí)際機(jī)器充分進(jìn)行確認(rèn)，并在系統(tǒng)上采取對(duì)策。

5.關(guān)于靜電放電引起的劣化、破壞（TSON/RF C×R3/C×R5/C×R10）

各種因素所產(chǎn)生的靜電接觸到輸出光電耦合器的各端子時(shí)會(huì)進(jìn)行放電，破壞元件內(nèi)部，這種現(xiàn)象稱為靜電破壞現(xiàn)象。

使用時(shí)請(qǐng)注意以下注意事項(xiàng)，實(shí)施靜電對(duì)策。

1.操作輸出光電耦合器的作業(yè)人員，請(qǐng)穿戴制電性作業(yè)服，通過500kΩ~1MΩ左右的保護(hù)電阻，實(shí)施人體接地。

2.請(qǐng)?jiān)谧鳂I(yè)臺(tái)上粘貼帶導(dǎo)電性的金屬板，對(duì)測(cè)量?jī)x器和治具等實(shí)施接地。

3.使用電烙鐵時(shí)，請(qǐng)使用漏電流較少的產(chǎn)品，或?qū)﹄娎予F前端進(jìn)行接地。(建議使用電壓用的電烙鐵。)

4.組裝時(shí)使用的設(shè)備等也應(yīng)正確地接地。

5.對(duì)印刷安裝基板和機(jī)器進(jìn)行包裝時(shí)，請(qǐng)避免使用發(fā)泡苯乙烯、聚乙烯

等帶電性的高分子材料。

6.對(duì)輸出光電耦合器進(jìn)行儲(chǔ)存和搬運(yùn)時(shí)，請(qǐng)?jiān)诓灰桩a(chǎn)生靜電的環(huán)境(例

如濕度45%~60%)中通過導(dǎo)電性包裝材料進(jìn)行保護(hù)。

6.關(guān)于未使用端子

由于3號(hào)端子在輸出光電耦合器內(nèi)部電路使用，因此請(qǐng)勿連接到A,B,C或外部電路(6腳型)。

7.關(guān)于端子間的短路

輸出光電耦合器通電過程中，如果將輸入/輸出端子間短路，則可能破壞內(nèi)部IC，敬請(qǐng)注意。

8.關(guān)于輸入端浪涌電壓

在輸入端子中施加反方向浪涌電壓的情況下，請(qǐng)?jiān)谳斎攵俗幽嫦虿⒘蟹较蜻B接二極管，請(qǐng)勿在輸入端子上施加逆耐壓以上的逆電壓。

1. 6腳型

關(guān)于建議輸入電流值輸入電流值建議選擇以下值。

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